[发明专利]基于p型NiO薄膜和斜面终端结构的肖特基二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 202010964527.1 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112038416B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 冯倩;于明扬;胡志国;田旭升;马红叶;徐周蕊;张进成;张春福;张雅超 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/24 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于p型NiO薄膜和斜面终端结构的肖特基二极管，主要解决现有肖特基二极管器件击穿电压过低无法广泛应用在高压高功率器件中的问题。其自下而上包括：欧姆接触金属Au层、欧姆接触金属Ti层、高掺杂n型Ga |
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| 搜索关键词： | 基于 nio 薄膜 斜面 终端 结构 肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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