[发明专利]多波长激光器阵列及其制作方法有效
申请号: | 202010964578.4 | 申请日: | 2020-09-14 |
公开(公告)号: | CN112072470B | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
发明(设计)人: | 梁松;剌晓波 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S5/40 | 分类号: | H01S5/40;H01S5/10;H01S5/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种多波长激光器阵列及其制作方法,其中,该多波长激光器阵列,包括至少三个激光器设置于同一衬底上,其中,每个激光器包括:在所述衬底上依次生长的下脊波导层、中间有源层和上脊波导层;其中,至少三个激光器的中间有源层的有源材料的发光波长不同。本发明提供的该多波长激光器阵列及其制作方法,采用对接生长技术获得具有不同发光波长的增益材料,有利于提高激光器阵列光电性能的一致性。 | ||
搜索关键词: | 波长 激光器 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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