[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202010965101.8 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112670272A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | L·S·素赛;郑楚书;黄永超;彭路露;Z·A·赛义德穆罕默德;N·约索克莫罗 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/52;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置和制造半导体装置的方法。半导体装置可以包括：基板；设置在基板上方的保护区域；以及由保护区域包围的核心结构。核心结构可以包括可被化学溶液蚀刻的核心材料。该保护区域可以包括抗化学溶液蚀刻的保护材料。核心结构可以具有第一侧和相对于第一侧的第二侧，第一侧比第二侧更靠近基板。核心结构可在核心结构的第一侧最窄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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