[发明专利]形成半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202010966146.7 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112509973A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 田希文;廖韦豪;戴品仁;吕志伟;李忠儒 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/033;H01L23/522 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 韩旭;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置及其制造方法，特别涉及一种形成半导体装置的方法。形成半导体装置的一例示性方法包含接收包含基板以及基板上方的第一硬遮罩的结构，第一硬遮罩具有分开的至少两个部分；以空隙于间隔物之间地沿着第一硬遮罩的上述至少两个部分的侧壁形成间隔物；形成第二硬遮罩于空隙中；形成第一切口于第一硬遮罩的上述至少两个部分中；形成第二切口于第二硬遮罩中；以及沉积切割硬遮罩于第一切口以及第二切口中。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
