[发明专利]一种光学级金刚石晶片的制备方法在审
| 申请号： | 202010966247.4 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112111786A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 林超男;单崇新;杨珣;杨西贵;臧金浩 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/18 |
| 代理公司： | 郑州智多谋知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 41170 | 代理人： | 马士腾 |
| 地址： | 450000 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于材料生长技术，具体的涉及一种光学级金刚石晶片的制备方法。包括如下步骤：采用金属钼为基底，然后在金属钼上旋涂金刚石籽晶，最终将旋涂过金刚石籽晶的金属钼放入微波等离子体化学气相沉积设备中进行生长。发明的有益效果是：本发明通过使用具有凹槽的金属钼使得旋涂籽晶更容易附着、生长的金刚石与衬底结合更加紧密。使用不同晶粒尺寸的籽晶，分多次进行籽晶旋涂，得到的籽晶分布均匀，有利于金刚石的均匀生长，减小所得到金刚石中的晶界，因此更容易得到光学级金刚石。生长条件控制在一定范围是得到光学级金刚石的必要条件，调控好生长过程中的温度、压强、微波功率及甲烷浓度等条件，对生长高品质光学级金刚石非常重要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光学 金刚石 晶片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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