[发明专利]蚀刻方法、损伤层的去除方法和存储介质在审
| 申请号： | 202010966419.8 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112635317A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 清水昭贵 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及蚀刻方法、损伤层的去除方法和存储介质。一种技术，其可以充分去除使用包含CF系气体的气体的等离子体蚀刻后的图案中生成的损伤层。一种蚀刻方法，其具备：准备具有在含硅部分上形成的蚀刻对象部的基板的工序；利用包含CF系气体的处理气体的等离子体，将基板的蚀刻对象部等离子体蚀刻成规定图案的工序；和，将损伤层去除的工序，所述损伤层是通过等离子体蚀刻而C和F注入到在图案底部露出的含硅部分中来生成的，将损伤层去除的工序具备如下工序：供给包含氧的自由基和包含氟的自由基，将损伤层用包含氟的自由基进行蚀刻并利用包含氧的自由基进行氧化，以形成损伤层的氧化物的工序；和，利用基于气体的化学处理或自由基处理，将氧化物去除的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 损伤 去除 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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