[发明专利]光敏装置与制造光敏装置的方法在审
申请号: | 202010966687.X | 申请日: | 2020-09-15 |
公开(公告)号: | CN112542524A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 陈建宏;宋巍巍;林志昌;卓联洲;徐敏翔 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/09;H01L31/18 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 李春秀 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明实施例涉及光敏装置与制造光敏装置的方法。本揭露提供一种光敏装置,所述光敏装置包含:衬底,其包含前表面处的硅层;光敏性构件,其延伸到所述硅层中且由所述硅层至少部分地环绕;及超晶格层,其放置于所述光敏性构件与所述硅层之间,其中所述超晶格层包含第一材料及不同于所述第一材料的第二材料,所述超晶格层的接近于所述光敏性构件的一部分处的所述第二材料的第一浓度大于所述超晶格层的远离于所述光敏性构件的一部分处的所述第二材料的第二浓度。 | ||
搜索关键词: | 光敏 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的