[发明专利]一种高K值氧化锆钛复合绝缘层薄膜及其晶体管制备方法在审
| 申请号： | 202010967368.0 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112053935A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 谢应涛;陈鹏龙 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 杨柳岸 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高K值氧化锆钛复合绝缘层薄膜及其晶体管制备方法，属于晶体管技术领域。该方法包括以下步骤：S1：乙酰丙酮锆溶解于二甲基甲酰胺DMF中，浓度为0.1～0.5摩尔/升；然后加入一定体积的二乙醇胺；最后加热搅拌形成透明澄清的氧化锆前驱体溶液；S2：将钛酸四丁酯或者钛酸异丙酯与上述氧化锆前驱体溶液按一定体积比混合；最后搅拌形成透明澄清的混合氧化锆钛ZrTiOx前驱体溶液；S3：将不同体积比的ZrTiOx前驱体溶液通过旋涂或打印方式涂覆于基板上，然后通过紫外光照射，形成ZrTiOx绝缘层薄膜。S4：基于上述ZrTiOx薄膜作为薄膜晶体管的绝缘层，实现不同结构和类型的薄膜晶体管的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锆 复合 绝缘 薄膜 及其 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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