[发明专利]一种基于二氧化锡传输层的光伏器件的制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202010967596.8 申请日: 2020-09-15
公开(公告)号: CN112133831B 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 方国家;王海兵;邵文龙 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48;H01L51/00
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 李炜
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种基于二氧化锡传输层的光伏器件的制备方法和应用。该方法包括:(1)制备改性二氧化锡传输层;(2)制备钙钛矿吸光层薄膜;(3)制备空穴传输层;(4)制备顶电极。本发明提供的制备方法工艺简单、均匀性好、重复性好,原料易得,成本低廉,利于降低制备成本。本发明制备的双氧水修饰的二氧化锡电子传输层,能够有效改善二氧化锡的电学性能,使其具有更合适的能带结构和更少的缺陷态密度。本发明将上述改性二氧化锡传输层薄膜用于制备太阳能电池,能够有效提升太阳能电池性能,转化效率高达22.15%,且均匀性、重复性更好,提升制造产能,降低生产成本。本发明对太阳能电池的产业化发展有积极的推动作用,具有较大的应用潜力。
搜索关键词: 一种 基于 氧化 传输 器件 制备 方法 应用
【主权项】:
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