[发明专利]一种半导体制冷元件的制造工艺及元件有效
| 申请号： | 202010968013.3 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112038478B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 余少非 | 申请（专利权）人： | 上海商皓电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N10/01 | 分类号： | H10N10/01;H10N10/17 |
| 代理公司： | 上海大为知卫知识产权代理事务所(普通合伙) 31390 | 代理人： | 何银南 |
| 地址： | 200000 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体制冷元件的制造工艺及元件，属于热电体制冷器制造领域，该制造工艺使用刻蚀、光刻等制造工艺和大批量的并行制造过程，不需要组装、调整，能够有效地提高半导体制冷元件的生产效率，降低半导体制冷元件的体积，使得半导体制冷元件适应狭小的空间使用，同时可有效地控制热电材料的一致性，降低热膨胀因素的影响，使用安全稳定，能够有效地提高半导体制冷元件的工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制冷 元件 制造 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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