[发明专利]量子阱层制备方法、LED外延层及LED芯片有效
| 申请号： | 202010968484.4 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN113451453B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 李兵兵;黄国栋;黄嘉宏;林雅雯;杨顺贵 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 李发兵 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种量子阱层制备方法、LED外延层及LED芯片。量子阱层的制备分为两个阶段，在第一阶段生长流程中，n次循环交替生长第一势垒层与第一势阱层。在第二生长阶段中，在第二势垒层与第二势阱层中插入压应力缓解中间层，并m次交替循环生长第二势垒层、压应力缓解中间层与第二势阱层。通过压应力缓解中间层，可有效缓解量子阱层中的压应力，降低压电极化效应，提高电子空穴波函数的交叠，并将电子空穴有效地限制在量子阱中，提高空穴分布均匀性，进而提高电子空穴的复合效率。所以基于上述量子阱层制备方法，可以有效提升LED芯片的内量子效率，增大基于该量子阱层的LED芯片的发光亮度，降低大电流下的效率衰减，增强LED芯片的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 制备 方法 led 外延 芯片 | ||
【主权项】：
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