[发明专利]ITO靶材高纯纳米氧化铟锡粉体制造方法在审
| 申请号： | 202010969350.4 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112079378A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 丁金铎;葛春桥;崔恒;柳春锡;金志洸;王梦涵 | 申请（专利权）人： | 中山智隆新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广东科信启帆知识产权代理事务所(普通合伙) 44710 | 代理人： | 吴少东 |
| 地址： | 528400 广东省中山市板芙镇居委会*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ITO靶材高纯纳米氧化铟锡粉体制造方法，包括以下步骤：将草酸铟和草酸锡或乙酸铟和乙酸锡按比例溶解于去离子水中形成透明的水溶液，再加入尿素或碳酸铵或碳酸氢铵将上述两种溶液混合后转入反应釜中，然后将反应釜置入烘箱中进行水热反应制备纳米氧化锡铟粉体。采用上述技术方案制备的纳米氧化铟锡粉体中无机酸根离子浓度可以控制10ppm以下，而且纳米氧化铟锡粉体的尺寸可由铵盐水解反应产生OH～离子控制。可生产高纯、致密度高的ITO靶材，为制造高端高质量的ITO薄膜提供可靠可选的方法。 | ||
| 搜索关键词： | ito 高纯 纳米 氧化 铟锡粉 体制 方法 | ||
【主权项】：
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