[发明专利]一种石墨烯银纳米线复合导电薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010969585.3 申请日: 2020-09-15
公开(公告)号: CN112071472A 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 谭化兵;潘智军;李磊 申请(专利权)人: 安徽宇航派蒙健康科技股份有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00
代理公司: 北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙) 11686 代理人: 肖淑芳;康颖
地址: 230000 安徽省合肥市蜀山区源*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种石墨烯银纳米线复合导电薄膜包括:基材,第一涂层,第一氧化石墨烯膜层,银纳米线膜层,第二氧化石墨烯膜层,第二涂层,高分子保护层和基材保护层,其中第一氧化石墨烯膜层/银纳米线膜层/第二氧化石墨烯膜层结构能够增强石墨烯银纳米线复合导电薄膜整体导电性,第一涂层和第二涂层能够有效阻隔银纳米线膜层的氧化,保证石墨烯银纳米线复合导电薄膜整体的方阻稳定性。同时,本发明公开了石墨烯银纳米复合导电薄膜的制备方法。
搜索关键词: 一种 石墨 纳米 复合 导电 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
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