[发明专利]防止晶背污染的方法及晶背保护层有效
| 申请号： | 202010971579.1 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112201577B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 余寅生;许邦泓;李睿 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及防止晶背污染的方法结构，涉及半导体集成电路制造技术，在形成半导体器件的第一侧墙和第一层保护层之后，在晶背上新增加一层抗氧化能力及抗腐蚀性很强的保护层，以在后续的工艺流程中，所述抗氧化能力及抗腐蚀性很强的保护层保护晶背不被腐蚀或氧化，从而达到稳定晶背状态的目的，其改变了原本晶背表层的第一层保护层易被氧化进而造成被酸腐蚀掉的特性，从而得到平整的晶背而提高产品在光刻机台跑货时候的稳定性，提高半导体器件的良率，且该方法不改变半导体器件原本的制造工艺流程，仅在形成第一层保护层之后添加形成第二层保护层的工艺即可，该第二层保护层的形成工艺不影响半导体器件的现有制造工艺，因此工艺简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 污染 方法 保护层 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
