[发明专利]晶圆缺陷源在线定位方法及其定位系统在审
| 申请号： | 202010971587.6 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112201586A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 刘殳平 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆缺陷源在线定位方法，包括：编辑Klarity坐标信息获得合格die点坐标；通过聚焦离子束轰击缺陷晶圆表面，获得第一纵向剖面图，第一纵向剖面图是缺陷位置的纵向剖面图；通过聚焦离子束轰击缺陷晶圆表面获得第二纵向剖面图，第二纵向剖面图是合格die点坐标在缺陷晶圆对应位置的纵向剖面图；第二纵向剖面图和第一纵向剖面图比较找差异位置，定位缺陷源。本发明还公开了一种晶圆缺陷源在线定位系统。本发明通过聚焦离子束轰击缺陷晶圆表面得到合格die的坐标位置和缺陷die位置的纵向剖面图，通过比较纵向剖面图的差异，能快速准确的定位缺陷源头。本发明可以在不停机的情况下快速准确定位缺陷源，能大幅度提高处理难以处理的urgent case的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 在线 定位 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010971587.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：防止晶背污染的方法及晶背保护层
- 下一篇：可调节补偿装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
