[发明专利]红光LED的制作方法有效
| 申请号： | 202010971706.8 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112289904B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 肖和平;朱迪;郭磊 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种红光LED的制作方法，属于半导体技术领域。包括：在GaAs衬底上依次生长腐蚀停止层、N型接触层、N型限制层、发光层、P型限制层、P型接触层；将转移基板键合在P型接触层上；依次去除GaAs衬底和腐蚀停止层；在N型接触层上形成第一键合金属层，并采用等离子束清洁第一键合金属层的表面；在Si衬底上形成第二键合金属层，并采用等离子束清洁第二键合金属层的表面，第二键合金属层的材料与第一键合金属层的材料相同；将第二键合金属层和第一键合金属层相贴放入真空腔内，使第二键合金属层和第一键合金属层键合在一起；脱离转移基板，露出P型接触层；设置P型电极和N型电极。本公开可提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 红光 led 制作方法 | ||
【主权项】：
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