[发明专利]一种紫外LED量子阱生长方法有效
| 申请号： | 202010972085.5 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112201732B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 张康;赵维;贺龙飞;吴华龙;何晨光;李成果;廖乾光;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种紫外LED量子阱生长方法。本发明通过控制InGaN量子阱外延层的生长速度，可以避免因AlGaN垒和InGaN阱的较大晶格失配而导致的位错和缺陷大量产生，提高量子阱中InGaN材料的局域化，同时通过调节量子阱生长速度可以优化量子阱所受应力进而提高外延质量，实现了厚膜、高质量、低In组分的高量子效率InGaN/AlGaN量子阱外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 led 量子 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东省科学院半导体研究所，未经广东省科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010972085.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
