[发明专利]一种BST基多层介电增强薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202010972653.1 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112259374A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 王歆;钟煌;卢振亚;陈志武 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01G4/012 | 分类号： | H01G4/012;H01G4/008;H01G4/14;H01G4/33 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 王东东 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BST基多层介电增强薄膜及其制备方法，包括衬底，采用溶胶凝胶法在衬底上旋涂多层异质薄膜，利用磁控溅射在多层异质薄膜上沉积Au电极，所述多层异质薄膜由BST薄膜和BTO薄膜交替堆叠构成。该结构是利用溶胶凝胶旋涂制膜，通过不同的溶胶浓度以及旋涂工艺获得周期厚度不一的多层异质结构薄膜，本发明改善了由于进一步减小薄膜厚度所带来的介电性能下降的问题，使材料的介电常数得到剧增。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bst 基多 层介电 增强 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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