[发明专利]一种提高单层电容器键合强度的制造工艺在审
| 申请号： | 202010972975.6 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN111952267A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 关秋云;吴继伟;杨国兴 | 申请（专利权）人： | 大连达利凯普科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/64;H01G13/00 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 毕进 |
| 地址： | 116630 辽宁省大连*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于电子元器件生产技术领域，公开了一种提高单层电容器键合强度的制造工艺。通过调整陶瓷基片粗糙度、基片清洗方式，调整溅射工艺，并在溅射金属电极后增加一次退火，即采用两次退火工艺。将单层电容器的键合强度提高至12.98gf，解决了键合点脱落问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 单层 电容器 强度 制造 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连达利凯普科技股份公司，未经大连达利凯普科技股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010972975.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种矿山充填体三维应力-变形测量装置及方法
- 下一篇：一种有卡无卡一体旋切机
