[发明专利]一种MoS2在审

专利信息
申请号: 202010973579.5 申请日: 2020-09-16
公开(公告)号: CN112079386A 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 李金华;石凯熙;翟英娇;楚学影 申请(专利权)人: 长春理工大学
主分类号: C01G39/06 分类号: C01G39/06
代理公司: 北京市诚辉律师事务所 11430 代理人: 范盈
地址: 130022 *** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明本发明属于无机纳米材料技术领域,公开了一种MoS2二维材料S空位缺陷调控的制备方法,将S源置于双温区管式炉的低温区,将Mo源和衬底置于双温区管式炉的高温区,保证S源过量,在氩气环境中,保持高温区Mo源生长温度700℃不变,将低温区S源生长温度分别升温至160℃、165℃、170℃,并持续双温区生长温度1小时,待管式炉自然冷却后,得到不同S空位缺陷浓度的双层MoS2二维材料样品。本发明在MoS2二维材料制备的过程中,设计直接通过升高S源温度来调控CVD反应过程中S蒸汽浓度,增加S空位形成能,提高S‑Mo成键概率来降低S空位缺陷浓度,以此获得高结晶质量的MoS2二维材料。
搜索关键词: 一种 mos base sub
【主权项】:
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