[发明专利]开关器件及其制造方法，相变随机存储器有效
| 申请号： | 202010974563.6 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112289927B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 甘程 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;岳丹丹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种开关器件的制造方法，包括：在衬底上形成绝缘层；在绝缘层上形成图案化的栅极导体；在栅极导体的表面形成侧墙以及在所述栅极导体两侧的衬底中形成源区和漏区包括：在栅极导体的表面形成第一侧墙，在第一侧墙两侧的衬底中形成第一掺杂区；在第一侧墙表面形成第二侧墙，在第二侧墙两侧的第一掺杂区中形成第二掺杂区；在第二侧墙表面依次形成第三侧墙和第四侧墙；在第四侧墙两侧的第二掺杂区中形成第三掺杂区，在第三掺杂区中形成第四掺杂区，其中，所述第一掺杂区至所述第四掺杂区的掺杂剂量依次增加。本申请的相变随机存储器，通过在侧墙形成过程中进行多次离子注入，可以获得更缓变的PN结，从而降低碰撞电离率，改善HCI效应。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 器件 及其 制造 方法 相变 随机 存储器 | ||
【主权项】：
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