[发明专利]一种半导体用高品质铝合金及其制备方法在审
| 申请号： | 202010975633.X | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112111679A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 张瑾;张飞;叶翔;周建波 | 申请（专利权）人： | 宁波锦越新材料有限公司 |
| 主分类号： | C22C21/08 | 分类号： | C22C21/08;C22F1/047;C21D1/30 |
| 代理公司： | 宁波知坤专利代理事务所(特殊普通合伙) 33312 | 代理人： | 段艳艳 |
| 地址： | 315000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体用高品质铝合金的制备方法，包括以下步骤：步骤1、采用半连续铸造工艺获得铝合金铸锭；步骤2、铝合金铸锭采用多级均匀化热处理工艺进行均质处理；步骤3、均质处理后的铝合金铸锭进行进行深冷处理；步骤4、对深冷处理后的铝合金铸锭进行少锻次、大锻比、中间去应力退火迭代工艺锻造；步骤5、对步骤4所得的锻件依次进行高温短时固溶、精整、低温长时时效处理，获得半导体用高品质铝合金。本发明很好地抑制的锻造变形过程中合金组织发生动态回复、动态再结晶以及亚动态再结晶，在组织上晶粒细化效果显著，在性能上表现为强塑性水平更好、加工性能极佳。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 品质 铝合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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