[发明专利]具有钙钛矿复合栅结构的GaN HEMT光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010976148.4 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112349777B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 张泽雨林;陈大正;朱卫东;游海龙;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/49;H01L29/423;H01L29/20;H01L31/113 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有钙钛矿复合栅结构的GaN HEMT光电探测器及其制备方法，其中，GaN HEMT光电探测器包括衬底、位于衬底上的GaN缓冲层、位于GaN缓冲层上的AlGaN势垒层、位于AlGaN势垒层表面两侧的源漏电极，以及位于源漏电极之间的复合栅结构，其中，复合栅结构包括位于AlGaN势垒层上的钙钛矿以及位于钙钛矿层上的TCO层。本发明将钙钛矿图形化后，与透明导电氧化物组成复合栅结构，并将其用在氮化镓HEMT光电探测器上，以使钙钛矿材料优异的光电性能与HEMT器件的高迁移率、高开关比特性相结合，从而获得更好的光电响应，扩大了器件应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 钙钛矿 复合 结构 gan hemt 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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