[发明专利]大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备、发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010976152.0 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112151645A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 周小伟;岳文凯;吴金星;李培咸;王燕丽;许晟睿;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备、发光二极管及其制备方法，大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备方法包括：选取大角度斜切蓝宝石衬底、常规蓝宝石衬底；分别在大角度斜切蓝宝石衬底、常规蓝宝石衬底上生长AlN层得到大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层、常规蓝宝石衬底AlN外延层；将大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层的AlN生长面与常规蓝宝石衬底AlN外延层的AlN生长面贴合，并进行高温退火；在高温退火后的大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层上重复生长AlN层、高温退火处理直到高温退火后的大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层上的AlN层达到预设厚度。本发明通过对生长AlN薄膜后的大角度斜切蓝宝石衬底进行退火处理，以在大角度斜切蓝宝石衬底上制备了高质量的AlN薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 角度 斜切 蓝宝石 衬底 aln 制备 发光二极管 及其 方法 | ||
【主权项】：
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