[发明专利]离子注入方法、碲镉汞芯片的制备方法及碲镉汞芯片有效
| 申请号： | 202010976632.7 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112086363B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 北京智创芯源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/426 | 分类号： | H01L21/426;H01L21/477;H01L31/18;H01L31/103 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;金淼 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种离子注入方法、碲镉汞芯片的制备方法及碲镉汞芯片，所述碲镉汞芯片的制备方法包括：在所述P型碲镉汞衬底上方形成介质膜层；对所述P型碲镉汞衬底和所述介质膜层进行热处理工艺；在所述介质膜层上方形成光刻胶掩膜层，并对所述光刻胶掩膜层进行图案化处理，以在所述光刻胶掩膜层上形成网格状的离子注入窗口；通过所述离子注入窗口，注入高能离子到所述P型碲镉汞衬底表面内，以在所述P型碲镉汞衬底表面内形成N型掺杂区；去除所述光刻胶掩膜层；对所述P型碲镉汞衬底进行热处理工艺。这种方法有效保护注入区内未被高能离子轰击的介质膜层，减少对介质膜层和碲镉汞之间通过热处理形成的良好界面的破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 方法 碲镉汞 芯片 制备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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