[发明专利]一种microLED预制芯片结构的外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202010977184.2 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN111933764A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 许南发;李志;席庆男 | 申请（专利权）人： | 山东元旭光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 马春燕 |
| 地址： | 261000 山东省潍坊市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提供一种microLED预制芯片结构的外延片及其制备方法，该外延片包括一衬底和由所述衬底生长得到的MicroLED芯片，所述MicroLED芯片设有若干级；其中，所述衬底上依次生长有低温缓冲层、非掺杂GaN层和N型GaN接触层，在生长得到的包含有量子阱层和P型GaN接触层上去除沉淀生长层得到若干级所述MicroLED芯片，所述沉淀生长层是在所述N型GaN接触层上沉淀得到的，该microLED预制芯片外延结构的外延片有利于后续制作microLED芯片，减少芯片刻蚀工序，提升产品良率，可快速制作microLED，对目前microLED的市场化具有很高是应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 microled 预制 芯片 结构 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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