[发明专利]三维存储器的制造方法及三维存储器

摘要

本发明提供一种三维存储器的制造方法及三维存储器，在所述三维存储器的制造方法中，第一栅线分隔槽或第三栅线分隔槽延伸穿过堆栈结构中边缘台阶区的部分被拿掉，堆栈结构中边缘台阶区的刻蚀较少，堆栈结构的边缘台阶区保持得比较完整，能在利用刻蚀距离的限制实现相邻两个存储区块之间的物理隔绝的同时，还增强了堆栈结构中边缘台阶区的结构完整性，优化了堆栈结构中边缘台阶区的应力分布，使得延伸穿过边缘台阶区及核心区的第二栅线分隔槽能有效避免因应力差异而出现的尺寸巨变现象。