[发明专利]一种基于金属有机框架衍生的三维空心花状钨酸钴超级电容器材料的制备在审

专利信息
申请号: 202010979297.6 申请日: 2020-09-17
公开(公告)号: CN112038115A 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 谭立超;陈威文;马慧媛 申请(专利权)人: 哈尔滨理工大学
主分类号: H01G11/86 分类号: H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150080 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种基于金属有机框架衍生的三维空心花状钨酸钴超级电容器材料的制备本发明属于电化学储能领域,具体涉及一种在泡沫镍上生长的三维空心花状CoWO4复合材料超级电容器电极材料的制备。本发明目的是为了解决目前氧化钴纳米复合材料的体积膨胀/收缩、团聚、导电率较低,导致比电容差、循环稳定性差的问题。产品:通过简单的浸渍法、水热法在泡沫镍上制备了ZIF‑67衍生的三维空心花状CoWO4(3D‑H CoWO4/NF)电极材料;此3D‑H CoWO4/NF电极材料具有显著的比电容、优异的速率性能和理想的能量密度。
搜索关键词: 一种 基于 金属 有机 框架 衍生 三维 心花 状钨酸钴 超级 电容器 材料 制备
【主权项】:
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