[发明专利]发光二极管外延片的制造方法及发光二极管外延片在审
| 申请号： | 202010980522.8 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112289897A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 张武斌;梅劲;王坤;刘春杨 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管外延片的制造方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述制造方法包括：将衬底置于反应室内；在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层和有源层；将载气通入液态Mg源中，在所述载气中携带所述液态Mg源；将携带有所述液态Mg源的载气通入所述反应室内，在所述有源层上生长P型半导体层；对所述P型半导体层进行退火。本公开通过将载气通入液态Mg源中，可以有效增加载气与Mg源的接触，从而增加载气中携带的液态Mg源，提高P型半导体层中Mg的掺杂浓度，增加P型半导体层提供的空穴数量，提升LED的发光亮度、抗静电能力、正向电压等光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010980522.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
