[发明专利]一种基于二氧化钒的可编程太赫兹记忆调制器件及系统在审
| 申请号： | 202010980978.4 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112285952A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 周庆莉;李格;梁菀琳;邓雨旺;张存林 | 申请（专利权）人： | 首都师范大学 |
| 主分类号： | G02F1/00 | 分类号： | G02F1/00;G02B1/00 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 刘西云;李微微 |
| 地址： | 100048 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于二氧化钒的可编程太赫兹记忆调制器件及系统，将金属微结构形成的金属阵列与二氧化钒薄膜进行耦合，通过设计不同的超材料结构单元可获得不同频率记忆效应的THz调制器件；本发明在室温下将离子凝胶中氢离子注入二氧化钒薄膜，同时通过栅极直流电压源施加调控电压控制二氧化钒薄膜中氢离子的掺杂程度，明显降低调控所需的功耗，实现了对二氧化钒薄膜电导态的实时调控，能够建立起调控电压正负、大小、时间和二氧化钒薄膜电导以及THz透过率之间的数值对应关系，进而实现对记忆型THz调制器件性能的实时数字化可控；本发明还能在室温下即可实现对THz波调制的精确控制，完成基于二氧化钒的可编程太赫兹记忆调制系统的写入、读取以及擦除。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 可编程 赫兹 记忆 调制 器件 系统 | ||
【主权项】：
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