[发明专利]具有IGBT区段和二极管区段的RC-IGBT在审
| 申请号： | 202010981151.5 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112531023A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | J·G·拉文;R·巴布斯克;F·D·普菲尔施;A·菲利波;C·P·桑多 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了具有IGBT区段和二极管区段的RC IGBT。提供了一种RC IGBT(1)，其在二极管区段(1‑22)和IGBT区段(1‑21)之间的过渡区段(1‑23)中具有n阻挡区(107)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 igbt 区段 二极管 rc | ||
【主权项】：
暂无信息
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