[发明专利]一种N、P共掺杂的纳米碳基框架材料修饰电极及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202010983305.4 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112098486A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 万超;汪丹;胡念武 | 申请（专利权）人： | 湖北中烟工业有限责任公司;湖北新业烟草薄片开发有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;G01N27/48;B01J27/24;B01J35/10;B82Y15/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 裴金华 |
| 地址： | 430000 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明以2‑甲基咪唑为配体，硝酸钴为金属中心，通过自组装法获得了钴基有机框架材料；该有机框架作为前驱体碳化得到了钴颗粒负载的N掺杂纳米碳中间产物，将该中间产物进行酸洗处理，获得N掺杂的纳米碳材料，将N掺杂的纳米碳材料与植酸溶液充分搅拌，将吸附植酸的N掺杂的纳米碳材料进行二次煅烧处理，即制备出N,P共掺杂的纳米碳基框架材料。引入尺寸和电负性不同的杂原子可以诱导碳骨架中碳原子的电荷再分配，导致碳的电子结构发生变化而产生催化活性，以有机框架为前驱体使得制备的材料具有大的比表面积与高孔隙率，由该材料制备的修饰电极具有优异的电化学活性，高的电子转移能力，有利于实现对痕量萘酚异构体的高灵敏检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 纳米 框架 材料 修饰 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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