[发明专利]双堆栈三维存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 202010986541.1 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112071846B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 左晨;耿静静;袁彬;杨竹;王香凝;张强威;程黎明;郭振 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/20 | 分类号： | H10B41/20;H10B41/27;H10B41/00;H10B43/20;H10B43/27;H10B43/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周全 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种双堆栈三维存储器及其制造方法。该方法包括：沿堆叠方向向下对衬底上位于核心区内的第一部分进行刻蚀，使得衬底上位于阶梯区内的第二部分与第一部分之间形成高度差；在衬底的第一部分上形成下部堆栈并在衬底的第二部分上形成阶梯堆叠层；在下部堆栈和阶梯堆叠层上形成绝缘连接层，绝缘连接层的位于核心区的第一部分与绝缘连接层的位于阶梯区内的第二部分之间具有高度差；以及沿堆叠方向从上方去除绝缘连接层的第二部分的至少一部分，使得高度差减小。在所形成的双堆栈三维存储器中，衬底上位于核心区内的第一部分低于衬底上位于阶梯区内的第二部分以形成台阶。 | ||
| 搜索关键词： | 堆栈 三维 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010986541.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
