[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010987022.7 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112563321A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 曾根田真也;上马场龙;新田哲也 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/861;H01L27/06;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。目的在于提供一种能够改善恢复损耗以及恢复耐量这两者的技术。半导体装置具有：第2导电型的基极层，其配置于IGBT区域的半导体基板的表面侧；以及第2导电型的阳极层，其配置于二极管区域的半导体基板的表面侧。阳极层包含：第1部分，其具有下端，该下端位于与基极层的下端相同的位置或者与基极层的下端相比位于上方；以及第2部分，其在俯视观察时与第1部分相邻，下端与第1部分的下端相比位于上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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