[发明专利]一种通过微波等离子体采用碳化硼制备金刚石的方法有效
申请号: | 202010987048.1 | 申请日: | 2020-09-18 |
公开(公告)号: | CN111945131B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 满卫东;朱长征;龚闯;吴剑波 | 申请(专利权)人: | 上海征世科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/517 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈秋忆;徐伟 |
地址: | 201799 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种通过微波等离子体采用碳化硼制备金刚石的方法,上述方法包括:预处理步骤:提供衬底,将固态碳化硼颗粒均匀放置在上述衬底周围,并放入微波等离子体反应室中;形核步骤:采用第一工艺参数组合产生等离子体轰击上述固态碳化硼颗粒,以使金刚石在上述衬底表面形核;以及生长步骤:采用第二工艺参数组合产生等离子体轰击上述固态碳化硼颗粒,以在上述衬底表面生成掺硼的金刚石;其中上述第一工艺参数组合不同于上述第二工艺参数组合。本发明还提供了根据上述方法所制备的掺硼的金刚石。本发明所提供的方法采用廉价、安全的碳化硼制备掺硼金刚石,降低工艺成本,提高工艺安全。所制备的掺硼的金刚石质地均匀,性能良好,应用广泛。 | ||
搜索关键词: | 一种 通过 微波 等离子体 采用 碳化 制备 金刚石 方法 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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