[发明专利]半导体封装件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010987918.5 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112542432A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 吴东勳;金秀伦;南洲铉 | 申请（专利权）人： | NEPES株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/552;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 桑传标 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体封装件及其制作方法，该半导体封装件耐冲击性得到改善，且散热及电磁波屏蔽性优秀。根据本发明的一实施方式，提供半导体封装件，所述半导体封装件包括：芯片，在所述芯片的一面设有接触垫；缓冲层，形成于所述芯片的一面；一个以上的配线图案，配置于所述缓冲层，与所述芯片的接触垫电连接，并延伸至所述芯片的外侧；外部衬垫，设置于所述配线图案，并与所述配线图案电连接；以及模具层，以包围与所述外部衬垫电连接的外部接线端子、所述芯片的另一面、侧面及所述缓冲层的侧面的方式形成，并形成至所述配线图案的另一面，所述模具层的高度高于所述芯片的一面的边角。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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