[发明专利]一种FinFET CMOS结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010988350.9 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112349717B | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 胡辉勇;王斌;王利明;舒斌;韩本光;孟令尧;陈睿;宣荣喜;张鹤鸣 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种FinFET CMOS结构及其制备方法，该FinFET CMOS结构包括nFinFET和pFinFET，所述nFinFET包括在半导体衬底上设置的若干第一鳍部和第一栅电极，所述pFinFET包括在半导体衬底上设置的若干第二鳍部和第二栅电极，其中，所述第一鳍部与所述第二鳍部由相同导电类型的半导体材料形成；所述第一栅电极与所述第二栅电极由相同功函数的导电材料形成。本发明的FinFET CMOS减少了制备FinFET CMOS的工艺步骤，缩减了工艺过程，从而可以降低工艺难度和制备成本，由此还有益于提升FinFET CMOS及其集成电路的性能与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet cmos 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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