[发明专利]深沟槽隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 202010989073.3 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN111883476B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 刘张李;蒙飞;刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种深沟槽隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法，所述深沟槽隔离结构的形成方法包括：执行第一刻蚀工艺，去除部分厚度的结构层，以在所述结构层中形成至少一个隔离沟槽；执行第二刻蚀工艺，去除所述隔离沟槽底部剩余厚度的所述结构层，以使所述隔离沟槽在厚度方向上贯通所述结构层；在所述隔离沟槽中填充介质层，以形成深沟槽隔离结构。在执行第二刻蚀工艺时，可以去除在所述第一次刻蚀工艺的过程中产生的副产物，由此，可以避免所述副产物的污染；进一步的，在半导体器件的制造方法中，采用本发明提供的深沟槽隔离结构的形成方法形成深沟槽隔离结构，在半导体器件的形成方法中，可以使得形成的半导体器件获得较好的电学连接。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 隔离 结构 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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