[发明专利]一种缺陷态乱层堆叠石墨烯组装电池材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202010990142.2 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112086632B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 彭蠡;方文章;高超 | 申请（专利权）人： | 杭州高烯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/052;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 邱启旺 |
| 地址： | 311113 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种缺陷态乱层堆叠石墨烯组装电池材料及其制备方法，此材料具有完全乱层的堆叠结构，以及局域的缺陷态以及内部空间可控的硅填充体积。其中，缺陷态结构一方面提供电容，另一方面提供电解质进出通道，提高库伦效率；乱层堆叠结构，便于石墨烯层间插层，提高插层比例，进而提高电容和充放电速度；纳米硅颗粒则完全充当电容载体。将此三种结构应用于电池材料，三种结构相辅相成，极大的提高电池容量，因此可用于制备高质量容量电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 态乱层 堆叠 石墨 组装 电池 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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