[发明专利]一种可拉伸半导体器件的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010991589.1 申请日: 2020-09-18
公开(公告)号: CN112271257B 公开(公告)日: 2022-09-20
发明(设计)人: 张敏;黄巍宏;焦浩轩;黄秋月;张娇娜 申请(专利权)人: 北京大学深圳研究生院
主分类号: H01L51/10 分类号: H01L51/10;H01L51/05;H01L51/40;H01L51/30
代理公司: 北京祯新珵艺知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 16110 代理人: 沈超
地址: 518071 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种可拉伸半导体器件的制备方法,包括:在基板上形成基板牺牲层;在基板牺牲层上形成衬底;在衬底上形成第一电极牺牲层;在第一电极牺牲层上形成第一电极;去除第一电极牺牲层;在第一电极上形成介电层;在介电层上形成第二电极牺牲层;在第二电极牺牲层上形成第二电极和第三电极;在第二电极之间形成沟道层;去除第二电极牺牲层。本发明进一步包括另一种可拉伸半导体器件的制备方法。
搜索关键词: 一种 拉伸 半导体器件 制备 方法
【主权项】:
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