[发明专利]一种在涂层制备扩散过程中抑制单晶再结晶的方法有效
| 申请号： | 202010991843.8 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112301315B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 王鑫;许振华;牟仁德;申造宇;何利民 | 申请（专利权）人： | 中国航发北京航空材料研究院 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/16;C22C19/05;C23C14/54;C23C14/58;C30B33/00;C30B29/52 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 陈宏林 |
| 地址： | 100095 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是一种在涂层制备扩散过程中抑制单晶再结晶的方法，该方法通过控制涂层制备扩散过程的温度、升温速率、Ar气流量、真空度、恒温时间等主要影响因素，在单晶合金材料表面制备包覆型涂层的同时，实现单晶合金材料内无再结晶现象产生，保障单晶合金材料的组织结构稳定性和力学性能。该单晶合金再结晶的抑制方法具有保护效果好、不改变合金基体材料的显微组织、且该涂层扩散处理工艺过程可提升涂层与单晶合金的界面结合性能，改善涂层与合金基体的化学组成均匀性，避免单晶合金材料出现胞状再结晶，从而保障单晶合金的热疲劳性能和提高涂层/合金的界面稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 涂层 制备 扩散 过程 抑制 再结晶 方法 | ||
【主权项】：
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