[发明专利]FinFET中接触插塞的形成工艺在审
| 申请号： | 202010992692.8 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112201623A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 周真真 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L29/45 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种FinFET中接触插塞的形成工艺，包括如下步骤：步骤S1，提供已形成源极/漏极区的FinFET结构，其中，在所述源极/漏极区上形成层间介质层；步骤S2，打开层间介质层，形成接触开口，使所述源极/漏极区及其侧面露出；步骤S3，在层间介质层的接触开口处形成环绕式的金属硅化物；步骤S4，利用导电材料填充形成金属硅化物后的接触开口；步骤S5，进行化学机械研磨，形成环绕式的接触插塞。本发明在不需要额外光罩的前提下，扩大源极/漏极区的打开窗口(即层间介质层中的接触开口)，形成一种部分包裹且面积更大的源漏接触，有利于降低接触电阻，提升器件的直流特性，此外通过调节包裹面积，可以控制接触插塞与金属栅间的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 接触 形成 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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