[发明专利]一种基于重结晶孔洞的紫外LED的制备方法在审
| 申请号： | 202010993663.3 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112071965A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 黎大兵;贲建伟;孙晓娟;蒋科;陈洋;张山丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/10 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于重结晶孔洞的紫外LED的制备方法，属于半导体材料以及器件制备技术领域，包括步骤1：利用物理气相沉积法在衬底上沉积AlN层；步骤2：热处理AlN层，形成具有重结晶孔洞的AlN层；步骤3：在具有重结晶孔洞的AlN层上外延生长紫外LED器件结构，制备得到基于重结晶孔洞的紫外LED。本发明的基于重结晶孔洞的紫外LED的制备方法，通过高温热处理采用物理气相沉积法制备的AlN层形成重结晶孔洞，不需要光刻、刻蚀、或者引入其他材料掩膜的工艺，具有工艺简单、技术门槛低、省时、引入污染少的优点，可以在有效提高紫外LED器件光提取效率的同时，降低生产成本，更适用于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 重结晶 孔洞 紫外 led 制备 方法 | ||
【主权项】：
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