[发明专利]一种改善深槽超结MOSFET耐压的器件结构及其工艺方法在审
| 申请号： | 202010994103.X | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112117330A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 薛璐;何军;胡兴正;刘海波 | 申请（专利权）人： | 南京华瑞微集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 211800 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善深槽超结MOSFET耐压的器件结构及其工艺方法，通过在外延中的多次注入，改变器件从底部到表面的N型杂质浓度，减小器件底部的N型杂质浓度，增加器件表面的N型杂质浓度，使器件底部和表面的N型杂质与P型杂质的比例均达到1：1。本发明可以解决传统深槽型超结MOSFET受工艺影响导致的耐压不稳及偏低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 深槽超结 mosfet 耐压 器件 结构 及其 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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