[发明专利]一种改善反向恢复特性的超结MOSFET有效
| 申请号： | 202010994816.6 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN111969062B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 郑崇芝;吴毅;夏云;孙瑞泽;刘超;陈万军;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及功率半导体技术，涉及一种改善反向恢复特性的超结MOSFET。相对于传统的MOSFET，本发明在P型漂移区和N型漂移区中间引入绝缘介质，同时将P型阱区分隔为位于N型漂移区上的第一P型阱区和位于P型漂移区上的第二P型阱区两个部分。第一P型阱区与源极金属形成肖特基接触。在第二P型阱区内引入一个平面N型MOSFET，器件的N+源区通过一个浮空金属连接到平面N型MOSFET的漏极。N型MOSFET的源极作为本发明器件的源极，而其栅极与本发明器件栅极相连接。器件反向导通时，由于肖特基二极管处于反偏状态，因此与其相连接的N型漂移区一侧体二极管不导通，只有P型漂移区一侧体二极管导通，因此反向导通时漂移区内存储的电荷减少。本发明改善了器件反向恢复特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 反向 恢复 特性 mosfet | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010994816.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种支撑架和床
- 下一篇：一种具有漏端肖特基接触的超结MOSFET
- 同类专利
- 专利分类
