[发明专利]一种具有漏端肖特基接触的超结MOSFET有效
| 申请号： | 202010994844.8 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN111969063B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 郑崇芝;夏云;吴毅;孙瑞泽;刘超;陈万军;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有漏端肖特基接触的超结MOSFET。相对于传统的超结MOSFET，本发明在器件的漏极一侧引入肖特基接触，其由延伸到器件漏极的N型漂移区与漏极金属形成。在反向导通时，漂移区内的空穴可以通过此肖特基接触泄放，并且此肖特基接触不向漂移区内注入电子，因此漂移区内的电荷数量极大地降低。本发明的有益成果：体二极管反向导通时注入的电荷降低明显，从而反向恢复过程中的反向恢复电荷极大地降低，反向恢复特性得以显著改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 漏端肖特基 接触 mosfet | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010994844.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种改善反向恢复特性的超结MOSFET
- 下一篇：集装箱式储能系统
- 同类专利
- 专利分类
