[发明专利]一种大尺寸晶片均匀高温腐蚀装置及其腐蚀方法在审
| 申请号： | 202010995058.X | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112133649A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 李祥彪;杨培培;仲崇贵 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/306 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 许洁 |
| 地址： | 226000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大尺寸晶片均匀高温腐蚀装置及其腐蚀方法，包括腐蚀腔，内设有喷液系统和加热系统，喷液系统包括输送臂和喷液嘴，输送臂内部为腐蚀液输送管道，输送臂可以在水平面内前后移动和左右转动，喷液嘴连接腐蚀液输送管，直接将腐蚀液喷在晶片表面；加热系统包括晶片固定台和加热台，晶片固定台用周围多点卡口方式将晶片水平固定在台上，晶片固定台可旋转，加热台位于晶片固定台下方，直接加热晶片固定台，通过传导方式将热量传递给晶片。通过协调晶片固定台转速与输送臂平移速度和转动速度，喷液嘴可以迅速并均匀的将腐蚀液喷射在晶片表面，实现高温均匀腐蚀。本发明结构简单，可实现大尺寸晶片高温均匀腐蚀，提高了腐蚀效率和均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 晶片 均匀 高温 腐蚀 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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