[发明专利]一种MRAM磁隧道结底部陡直度的控制工艺在审
| 申请号： | 202010995271.0 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN114256411A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 杨宇新;李佳鹤;刘鹏;彭泰彦;胡冬冬;许开东 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L21/3065;G11C11/16 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 曹翠珍 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种MRAM磁隧道结底部陡直度的控制工艺，采用了反应离子刻蚀与等离子束刻蚀相结合的方法。反应离子刻蚀的工艺是：顶电极功率为100‑500W，底电极功率为100‑1500W，刻蚀腔体压力为2‑20mT，气体流量为10‑500sccm，刻蚀到底部绝缘层之下至介质之上停止；等离子束刻蚀的工艺是：离子束角度为45°‑90°，离子能量为50‑600V，离子加速偏压为50‑1000V，气体流量为10‑500sccm；刻蚀量5‑15nm。反应气体是氩气。本发明可以调整MRAM结构底部的陡直度，达成MTJ层侧壁均无金属沉积的刻蚀结果，可以提高MRAM结的TMR，进而提高MRAM器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mram 隧道 底部 陡直 控制 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏鲁汶仪器有限公司，未经江苏鲁汶仪器有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010995271.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
