[发明专利]薄膜体声波谐振器、其制造方法及滤波器在审
| 申请号： | 202010995766.3 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN114257194A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 黄河 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/13;H03H9/205;H03H9/58 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 刘亭 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜体声波谐振器、其制造方法及滤波器，其中，薄膜体声波谐振器包括：压电叠层结构，压电叠层结构包括依次从下至上叠置的第一电极、压电层和第二电极，第一电极、第二电极至少其中之一具有贯穿相应电极的环形沟槽；在设有环形沟槽的相应电极上设置电极引出结构，电极引出结构遮盖至少部分环形沟槽并延伸至无效谐振区，电极引出结构包括向远离压电层方向凸起的环形拱形桥，拱形桥的内表面围成环形空隙，环形空隙与环形沟槽相对。本发明通过电极引出结构的环形空隙所在区域界定有效区的边界，并通过环形沟槽使有效区边界处相应电极的端部与空隙的气体接触，从而达到消除有效区的电极的边界杂波的效果，进而提升谐振器的Q值。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 声波 谐振器 制造 方法 滤波器 | ||
【主权项】：
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