[发明专利]一种具有超晶格窄波导大功率980nmLD外延片结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010995875.5 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN114256742A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 赵凯迪;张新;李强 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343;C23C16/02;C23C16/30 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 孙倩文 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有超晶格窄波导大功率980nmLD外延片结构及其制备方法，属于光电子领域，本发明的AlGaAs/GaAs超晶格组具有低的限制因子，可以大大降低波导层的生长厚度，不仅可以满足大功率980nmLD对COD参数的要求，也克服了传统宽波导层结构带来的多阶膜激射、成本高、生长困难质量差等缺点；本发明在AlGaAs/GaAs超晶格组波导层结构中结合非对称结构将光场压向N型区域，降低了载流子的光学吸收，提升了输出功率、降低了热量的产生，使该结构的激光器可靠性的到改善。AlGaAs/GaAs超晶格波导层在光学限制上可以起到与DBR相当的作用，加强了波导层的光学限制能力将光场集中在有源区中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 晶格 波导 大功率 980 nmld 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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